NTD4404N1G-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备优异的导通与开关性能。 其主要参数包括：漏极电流ID为100A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 导通电阻RDON低至3.8mΩ， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。 器件采用先进工艺制造， 支持高频工作， 适合用于同步整流、DC-DC转换器及负载开关等应用场景， 提供稳定可靠的功率控制解决方案。