NTD360N80S3Z
IC
TO-252
可供量大可议
NTD360N80S3Z
800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列， 提供800 V的击穿电压。 全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化， 凭借其优化设计， 在不牺牲EMI性能的前提下， 可降低开关损耗和外壳温度。 此外， 内部齐纳二极管显著提高了ESD能力
品牌
onsemi
封装
TO-252
库存
1,765
货期
现货
NTD360N80S3Z参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1765 |
NTD360N80S3Z概述
800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列， 提供800 V的击穿电压。 全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化， 凭借其优化设计， 在不牺牲EMI性能的前提下， 可降低开关损耗和外壳温度。 此外， 内部齐纳二极管显著提高了ESD能力
NTD360N80S3Z特性
暂无产品特性。
NTD360N80S3Z应用领域
暂无应用领域。