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NTD32N06T4G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

NTD32N06T4G-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻22mΩ。 器件在60V电压等级下提供稳定的电流承载能力, 适中的导通阻抗有助于平衡开关速度与传导损耗。 主要应用于直流电机控制、开关电源次级整流及电池管理系统中的负载开关环节, 能够满足中功率电子设备对高效能功率切换与热管理的基本需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

NTD32N06T4G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

NTD32N06T4G-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻22mΩ。 器件在60V电压等级下提供稳定的电流承载能力, 适中的导通阻抗有助于平衡开关速度与传导损耗。 主要应用于直流电机控制、开关电源次级整流及电池管理系统中的负载开关环节, 能够满足中功率电子设备对高效能功率切换与热管理的基本需求。

NTD32N06T4G-HXY特性

暂无产品特性。

NTD32N06T4G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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