NTD32N06T4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD32N06T4G-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻22mΩ。 器件在60V电压等级下提供稳定的电流承载能力, 适中的导通阻抗有助于平衡开关速度与传导损耗。 主要应用于直流电机控制、开关电源次级整流及电池管理系统中的负载开关环节, 能够满足中功率电子设备对高效能功率切换与热管理的基本需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
NTD32N06T4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NTD32N06T4G-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻22mΩ。 器件在60V电压等级下提供稳定的电流承载能力, 适中的导通阻抗有助于平衡开关速度与传导损耗。 主要应用于直流电机控制、开关电源次级整流及电池管理系统中的负载开关环节, 能够满足中功率电子设备对高效能功率切换与热管理的基本需求。
NTD32N06T4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD32N06T4G-HXY应用领域
暂无应用领域。
