NTD32N06LG-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD32N06LG-HXY
该N沟道场效应管漏源电压为60V, 连续漏极电流达30A, 导通电阻典型值22mΩ。 其低导通损耗特性适用于高能效电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 在直流-直流变换器中可实现快速开关响应, 优化散热设计需求。 该参数组合适合对电流承载能力与能效比有严格要求的电子设备, 如便携式储能装置和高功率照明系统, 确保稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
40
货期
现货
NTD32N06LG-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
NTD32N06LG-HXY概述
该N沟道场效应管漏源电压为60V, 连续漏极电流达30A, 导通电阻典型值22mΩ。 其低导通损耗特性适用于高能效电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 在直流-直流变换器中可实现快速开关响应, 优化散热设计需求。 该参数组合适合对电流承载能力与能效比有严格要求的电子设备, 如便携式储能装置和高功率照明系统, 确保稳定运行。
NTD32N06LG-HXY特性
暂无产品特性。
NTD32N06LG-HXY应用领域
暂无应用领域。
