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NTD32N06LG-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

NTD32N06LG-HXY

该N沟道场效应管漏源电压为60V, 连续漏极电流达30A, 导通电阻典型值22mΩ。 其低导通损耗特性适用于高能效电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 在直流-直流变换器中可实现快速开关响应, 优化散热设计需求。 该参数组合适合对电流承载能力与能效比有严格要求的电子设备, 如便携式储能装置和高功率照明系统, 确保稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

40

货期

现货

NTD32N06LG-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

NTD32N06LG-HXY概述

该N沟道场效应管漏源电压为60V, 连续漏极电流达30A, 导通电阻典型值22mΩ。 其低导通损耗特性适用于高能效电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 在直流-直流变换器中可实现快速开关响应, 优化散热设计需求。 该参数组合适合对电流承载能力与能效比有严格要求的电子设备, 如便携式储能装置和高功率照明系统, 确保稳定运行。

NTD32N06LG-HXY特性

暂无产品特性。

NTD32N06LG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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