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NTD32N06G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

NTD32N06G-HXY

该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与30A连续漏极电流, 导通电阻为22毫欧。 适中的内阻特性在成本与性能间取得平衡, 有效管理导通损耗。 器件适用于中功率直流转换器、电动工具驱动及便携式储能设备, 能够在常规散热条件下实现可靠的开关控制, 满足对电源效率与电路稳定性有明确要求的消费类电子设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

NTD32N06G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

NTD32N06G-HXY概述

该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与30A连续漏极电流, 导通电阻为22毫欧。 适中的内阻特性在成本与性能间取得平衡, 有效管理导通损耗。 器件适用于中功率直流转换器、电动工具驱动及便携式储能设备, 能够在常规散热条件下实现可靠的开关控制, 满足对电源效率与电路稳定性有明确要求的消费类电子设计需求。

NTD32N06G-HXY特性

暂无产品特性。

NTD32N06G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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