NTD32N06G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD32N06G-HXY
该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与30A连续漏极电流, 导通电阻为22毫欧。 适中的内阻特性在成本与性能间取得平衡, 有效管理导通损耗。 器件适用于中功率直流转换器、电动工具驱动及便携式储能设备, 能够在常规散热条件下实现可靠的开关控制, 满足对电源效率与电路稳定性有明确要求的消费类电子设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
NTD32N06G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NTD32N06G-HXY概述
该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与30A连续漏极电流, 导通电阻为22毫欧。 适中的内阻特性在成本与性能间取得平衡, 有效管理导通损耗。 器件适用于中功率直流转换器、电动工具驱动及便携式储能设备, 能够在常规散热条件下实现可靠的开关控制, 满足对电源效率与电路稳定性有明确要求的消费类电子设计需求。
NTD32N06G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD32N06G-HXY应用领域
暂无应用领域。
