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NTD3055-094T4G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

NTD3055-094T4G-HXY

这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 其核心优势在于极低的导通电阻(88mR)。 在8A的负载电流下, 这一特性显著降低了器件的发热量, 从而简化了散热设计并提升了整体能效。 60V的耐压值为电路提供了充足的安全裕度, 使其能够稳定应对多种中压应用场景。 它非常适合应用于各类DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及电机驱动模块中, 作为主开关管使用。 其电压控制的特性, 也便于与各类控制芯片直接对接, 实现精准的功率切换与信号放大。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

15

货期

现货

NTD3055-094T4G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存15

NTD3055-094T4G-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 其核心优势在于极低的导通电阻(88mR)。 在8A的负载电流下, 这一特性显著降低了器件的发热量, 从而简化了散热设计并提升了整体能效。 60V的耐压值为电路提供了充足的安全裕度, 使其能够稳定应对多种中压应用场景。 它非常适合应用于各类DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及电机驱动模块中, 作为主开关管使用。 其电压控制的特性, 也便于与各类控制芯片直接对接, 实现精准的功率切换与信号放大。

NTD3055-094T4G-HXY特性

暂无产品特性。

NTD3055-094T4G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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