NTD3055-094T4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD3055-094T4G-HXY
这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 其核心优势在于极低的导通电阻(88mR)。 在8A的负载电流下, 这一特性显著降低了器件的发热量, 从而简化了散热设计并提升了整体能效。 60V的耐压值为电路提供了充足的安全裕度, 使其能够稳定应对多种中压应用场景。 它非常适合应用于各类DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及电机驱动模块中, 作为主开关管使用。 其电压控制的特性, 也便于与各类控制芯片直接对接, 实现精准的功率切换与信号放大。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
15
货期
现货
NTD3055-094T4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
NTD3055-094T4G-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计, 其核心优势在于极低的导通电阻(88mR)。 在8A的负载电流下, 这一特性显著降低了器件的发热量, 从而简化了散热设计并提升了整体能效。 60V的耐压值为电路提供了充足的安全裕度, 使其能够稳定应对多种中压应用场景。 它非常适合应用于各类DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及电机驱动模块中, 作为主开关管使用。 其电压控制的特性, 也便于与各类控制芯片直接对接, 实现精准的功率切换与信号放大。
NTD3055-094T4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD3055-094T4G-HXY应用领域
暂无应用领域。
