NTD3055-094G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD3055-094G-HXY
这款N沟道场效应管专为60V电压平台设计, 具备8A的连续漏极电流处理能力。 其导通电阻控制在88mΩ, 有助于降低通态损耗并提升电路能效。 器件支持±20V的栅源电压范围, 对驱动电路具有良好的兼容性。 凭借N沟道结构特性, 它在导通时由漏极向源极传输电流, 适用于各类中低压电源转换、负载开关及功率驱动场景, 是实现高效电能控制的可靠选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
40
货期
现货
NTD3055-094G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
NTD3055-094G-HXY概述
这款N沟道场效应管专为60V电压平台设计, 具备8A的连续漏极电流处理能力。 其导通电阻控制在88mΩ, 有助于降低通态损耗并提升电路能效。 器件支持±20V的栅源电压范围, 对驱动电路具有良好的兼容性。 凭借N沟道结构特性, 它在导通时由漏极向源极传输电流, 适用于各类中低压电源转换、负载开关及功率驱动场景, 是实现高效电能控制的可靠选择。
NTD3055-094G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD3055-094G-HXY应用领域
暂无应用领域。
