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NTD3055-094G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

NTD3055-094G-HXY

这款N沟道场效应管专为60V电压平台设计, 具备8A的连续漏极电流处理能力。 其导通电阻控制在88mΩ, 有助于降低通态损耗并提升电路能效。 器件支持±20V的栅源电压范围, 对驱动电路具有良好的兼容性。 凭借N沟道结构特性, 它在导通时由漏极向源极传输电流, 适用于各类中低压电源转换、负载开关及功率驱动场景, 是实现高效电能控制的可靠选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

40

货期

现货

NTD3055-094G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

NTD3055-094G-HXY概述

这款N沟道场效应管专为60V电压平台设计, 具备8A的连续漏极电流处理能力。 其导通电阻控制在88mΩ, 有助于降低通态损耗并提升电路能效。 器件支持±20V的栅源电压范围, 对驱动电路具有良好的兼容性。 凭借N沟道结构特性, 它在导通时由漏极向源极传输电流, 适用于各类中低压电源转换、负载开关及功率驱动场景, 是实现高效电能控制的可靠选择。

NTD3055-094G-HXY特性

暂无产品特性。

NTD3055-094G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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