NTD25P03LT4G-VB
IC
TO-252
可供量大可议
NTD25P03LT4G-VB
台积电流片, 长电封测。 P沟道, -򬓹 򏟋 V, -򬓹 򑵼 A, RDS(ON), 򬓹 򬓹 mΩ@󗙻 򏟋 V, 󺺆 𮧂 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); -󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:TO򘞟 𢺫 򘞟 可用于电源管理模块中实现高侧或低侧电源通断控制, 尤其适合需要远程或逻辑控制的系统。
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
148
货期
现货
NTD25P03LT4G-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 148 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
NTD25P03LT4G-VB概述
台积电流片, 长电封测。 P沟道, -򬓹 򏟋 V, -򬓹 򑵼 A, RDS(ON), 򬓹 򬓹 mΩ@󗙻 򏟋 V, 󺺆 𮧂 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); -󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:TO򘞟 𢺫 򘞟 可用于电源管理模块中实现高侧或低侧电源通断控制, 尤其适合需要远程或逻辑控制的系统。
NTD25P03LT4G-VB特性
暂无产品特性。
NTD25P03LT4G-VB应用领域
暂无应用领域。