NTD15N06LT4G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD15N06LT4G-HXY
这款N沟道场效应管在60V耐压等级下提供了均衡的电气性能, 能够承载8A的连续漏极电流, 其88mΩ的导通电阻特性使其在中等功率应用中保持了良好的能效表现。 20V的栅源极电压规格为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量, 确保了器件在开关过程中的稳定性与可靠性。 该元件常被应用于各类电源管理模块、DC-DC转换器及电机控制电路中, 凭借其稳健的参数表现, 能够胜任常规功率切换与负载驱动任务, 满足通用电子设备对元器件稳定性的基础要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
40
货期
现货
NTD15N06LT4G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
NTD15N06LT4G-HXY概述
这款N沟道场效应管在60V耐压等级下提供了均衡的电气性能, 能够承载8A的连续漏极电流, 其88mΩ的导通电阻特性使其在中等功率应用中保持了良好的能效表现。 20V的栅源极电压规格为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量, 确保了器件在开关过程中的稳定性与可靠性。 该元件常被应用于各类电源管理模块、DC-DC转换器及电机控制电路中, 凭借其稳健的参数表现, 能够胜任常规功率切换与负载驱动任务, 满足通用电子设备对元器件稳定性的基础要求。
NTD15N06LT4G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD15N06LT4G-HXY应用领域
暂无应用领域。
