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NTD15N06LT4G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

NTD15N06LT4G-HXY

这款N沟道场效应管在60V耐压等级下提供了均衡的电气性能, 能够承载8A的连续漏极电流, 其88mΩ的导通电阻特性使其在中等功率应用中保持了良好的能效表现。 20V的栅源极电压规格为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量, 确保了器件在开关过程中的稳定性与可靠性。 该元件常被应用于各类电源管理模块、DC-DC转换器及电机控制电路中, 凭借其稳健的参数表现, 能够胜任常规功率切换与负载驱动任务, 满足通用电子设备对元器件稳定性的基础要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

40

货期

现货

NTD15N06LT4G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

NTD15N06LT4G-HXY概述

这款N沟道场效应管在60V耐压等级下提供了均衡的电气性能, 能够承载8A的连续漏极电流, 其88mΩ的导通电阻特性使其在中等功率应用中保持了良好的能效表现。 20V的栅源极电压规格为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量, 确保了器件在开关过程中的稳定性与可靠性。 该元件常被应用于各类电源管理模块、DC-DC转换器及电机控制电路中, 凭借其稳健的参数表现, 能够胜任常规功率切换与负载驱动任务, 满足通用电子设备对元器件稳定性的基础要求。

NTD15N06LT4G-HXY特性

暂无产品特性。

NTD15N06LT4G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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