NTD12N10T4G-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为10A， 漏源击穿电压达100V， 导通电阻为140mΩ， 栅源耐压20V。 器件凭借低导通损耗特性， 适用于电机驱动、电源转换及电池管理系统的开关控制环节。 其参数配置支持中等功率场景下的高效电能切换， 满足各类电子设备对稳定运行与热管理的具体需求。