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NTD12N10G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

NTD12N10G-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为10A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为140毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件适用于中等功率的直流电机控制、电池保护电路及开关电源模块。 在负载开关与电源管理应用中, 其参数特性有助于实现稳定的电流传输与电压控制, 满足各类电子设备对功率转换环节的基础性能需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

NTD12N10G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

NTD12N10G-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为10A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为140毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件适用于中等功率的直流电机控制、电池保护电路及开关电源模块。 在负载开关与电源管理应用中, 其参数特性有助于实现稳定的电流传输与电压控制, 满足各类电子设备对功率转换环节的基础性能需求。

NTD12N10G-HXY特性

暂无产品特性。

NTD12N10G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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