NTD12N10G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NTD12N10G-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为10A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为140毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件适用于中等功率的直流电机控制、电池保护电路及开关电源模块。 在负载开关与电源管理应用中, 其参数特性有助于实现稳定的电流传输与电压控制, 满足各类电子设备对功率转换环节的基础性能需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
NTD12N10G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
NTD12N10G-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为10A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为140毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件适用于中等功率的直流电机控制、电池保护电路及开关电源模块。 在负载开关与电源管理应用中, 其参数特性有助于实现稳定的电流传输与电压控制, 满足各类电子设备对功率转换环节的基础性能需求。
NTD12N10G-HXY特性
暂无产品特性。
NTD12N10G-HXY应用领域
暂无应用领域。
