NTBS9D0N10MC-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
NTBS9D0N10MC-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道； 100V； 140A； RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
20
货期
现货
NTBS9D0N10MC-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
NTBS9D0N10MC-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO263； N—Channel沟道； 100V； 140A； RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用Trench技术
NTBS9D0N10MC-VB特性
暂无产品特性。
NTBS9D0N10MC-VB应用领域
暂无应用领域。