NTBL075N065SC1
IC
H-PSOF8L
可供量大可议
NTBL075N065SC1
特性：典型RDS(on) = 56mΩ， VGS = 18V。 典型RDS(on) = 75mΩ， VGS = 15V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 59nC)。 低有效输出电容 (Coss = 109pF)。 100%雪崩测试。 TJ = 175℃。 应用：开关电源 (SMPS)。 太阳能逆变器
品牌
onsemi
封装
H-PSOF8L
库存
10
货期
现货
NTBL075N065SC1参数
| 封装 | H-PSOF8L |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
NTBL075N065SC1概述
特性：典型RDS(on) = 56mΩ， VGS = 18V。 典型RDS(on) = 75mΩ， VGS = 15V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 59nC)。 低有效输出电容 (Coss = 109pF)。 100%雪崩测试。 TJ = 175℃。 应用：开关电源 (SMPS)。 太阳能逆变器
NTBL075N065SC1特性
暂无产品特性。
NTBL075N065SC1应用领域
暂无应用领域。