NTBG160N120SC1
IC
TO-263-7
可供量大可议
NTBG160N120SC1
特性：典型RDS(on) = 160 mΩ。 超低栅极电荷（典型QG(tot) = 33.8 nC）。 低有效输出电容（典型Coss = 50.7 pF）。 100%雪崩测试。 TJ = 175℃。 该器件无卤， 符合RoHS指令豁免条款7a， 二级互连无铅。 应用：UPS。 DC-DC转换器
品牌
onsemi
封装
TO-263-7
库存
6
货期
现货
NTBG160N120SC1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
NTBG160N120SC1概述
特性：典型RDS(on) = 160 mΩ。 超低栅极电荷（典型QG(tot) = 33.8 nC）。 低有效输出电容（典型Coss = 50.7 pF）。 100%雪崩测试。 TJ = 175℃。 该器件无卤， 符合RoHS指令豁免条款7a， 二级互连无铅。 应用：UPS。 DC-DC转换器
NTBG160N120SC1特性
暂无产品特性。
NTBG160N120SC1应用领域
暂无应用领域。