NTBG070N120M3S
IC
D2PAK-7L
可供量大可议
NTBG070N120M3S
特性：典型导通电阻：在栅源电压为 18V 时为 65mΩ。 超低栅极电荷（总栅极电荷 QG(tot) = 57nC）。 低电容高速开关（输出电容 Coss = 57pF）。 100% 雪崩测试。 该器件无卤化物， 符合 RoHS 指令豁免条款 7a， 二级互连无铅。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车充电站
品牌
onsemi
封装
D2PAK-7L
库存
46
货期
现货
NTBG070N120M3S参数
| 封装 | D2PAK-7L |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
NTBG070N120M3S概述
特性：典型导通电阻：在栅源电压为 18V 时为 65mΩ。 超低栅极电荷（总栅极电荷 QG(tot) = 57nC）。 低电容高速开关（输出电容 Coss = 57pF）。 100% 雪崩测试。 该器件无卤化物， 符合 RoHS 指令豁免条款 7a， 二级互连无铅。 应用：太阳能逆变器。 电动汽车充电站
NTBG070N120M3S特性
暂无产品特性。
NTBG070N120M3S应用领域
暂无应用领域。