NTB5D0N15MC
IC
TO-263
可供量大可议
NTB5D0N15MC
特性：屏蔽栅MOSFET技术。 最大RDS(ON)=5.0 mΩ， VGS = 10 V， ID = 97 A。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。 降低开关噪声/EMI。 100% UIL测试。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。 电机驱动器和不间断电源
品牌
onsemi
封装
TO-263
库存
5
货期
现货
NTB5D0N15MC参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
NTB5D0N15MC概述
特性：屏蔽栅MOSFET技术。 最大RDS(ON)=5.0 mΩ， VGS = 10 V， ID = 97 A。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。 降低开关噪声/EMI。 100% UIL测试。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准。 应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。 电机驱动器和不间断电源
NTB5D0N15MC特性
暂无产品特性。
NTB5D0N15MC应用领域
暂无应用领域。