NTB25P06T4G-JSM
IC
TO-263-2L
可供量大可议
NTB25P06T4G-JSM
P沟道 耐压:-60V 电流:-35A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-35A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):40mΩ@10V, 17.5A
品牌
JSMSEMI
封装
TO-263-2L
库存
459
货期
现货
NTB25P06T4G-JSM参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 459 |
NTB25P06T4G-JSM概述
P沟道 耐压:-60V 电流:-35A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-35A 功率(Pd):110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):40mΩ@10V, 17.5A
NTB25P06T4G-JSM特性
暂无产品特性。
NTB25P06T4G-JSM应用领域
暂无应用领域。