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NTB25P06T4G
IC

D2PAK

可供量大可议

NTB25P06T4G

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。 此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计, 尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路, 可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

品牌

onsemi

封装

D2PAK

库存

3,038

货期

现货

NTB25P06T4G参数

封装D2PAK
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3038

NTB25P06T4G概述

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。 此类器件针对电源、转换器和电源电机控制中的低压、高速开关应用而设计, 尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路, 可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

NTB25P06T4G特性

暂无产品特性。

NTB25P06T4G应用领域

暂无应用领域。

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