NT6CL256M32AM-H1
IC
BGA-178
可供量大可议
NT6CL256M32AM-H1
特性：基于LPDDR3标准。 低功耗。 8n预取架构， 仅支持BL8。 可配置的驱动强度（DS）， 以实现系统兼容性。 可配置的片上终端（ODT）。 通过外部ZQ引脚进行ZQ校准， 确保DS/ODT阻抗精度（2400±1%）
品牌
Nanya
封装
BGA-178
库存
7
货期
现货
NT6CL256M32AM-H1参数
| 封装 | BGA-178 |
|---|---|
| 品牌 | Nanya(南亚科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
NT6CL256M32AM-H1概述
特性：基于LPDDR3标准。 低功耗。 8n预取架构， 仅支持BL8。 可配置的驱动强度（DS）， 以实现系统兼容性。 可配置的片上终端（ODT）。 通过外部ZQ引脚进行ZQ校准， 确保DS/ODT阻抗精度（2400±1%）
NT6CL256M32AM-H1特性
暂无产品特性。
NT6CL256M32AM-H1应用领域
暂无应用领域。