NT5CC64M16GP-DII
IC
VFBGA-96
可供量大可议
NT5CC64M16GP-DII
特性：基本DDR3兼容。 8n预取架构， 差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)， DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。 数据完整性：通过DRAM内置TS实现自动自刷新(ASR)， 具备自动刷新和自刷新模式。 节能模式：部分阵列自刷新(PASR)， 掉电模式。 信号完整性：可配置DS以实现系统兼容性， 可配置片上终端， 通过外部ZQ焊盘(240欧姆 ± 1%)进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度。 信号同步：通过MR设置进行写电平调整， 通过MPR进行读电平调整
品牌
Nanya
封装
VFBGA-96
库存
96
货期
现货
NT5CC64M16GP-DII参数
| 封装 | VFBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | Nanya(南亚科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 96 |
NT5CC64M16GP-DII概述
特性：基本DDR3兼容。 8n预取架构， 差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)， DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。 数据完整性：通过DRAM内置TS实现自动自刷新(ASR)， 具备自动刷新和自刷新模式。 节能模式：部分阵列自刷新(PASR)， 掉电模式。 信号完整性：可配置DS以实现系统兼容性， 可配置片上终端， 通过外部ZQ焊盘(240欧姆 ± 1%)进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度。 信号同步：通过MR设置进行写电平调整， 通过MPR进行读电平调整
NT5CC64M16GP-DII特性
暂无产品特性。
NT5CC64M16GP-DII应用领域
暂无应用领域。