NT5CC256M16ER-EK

特性：符合DDR3标准。 8n预取架构， 差分时钟（CK/CK）和数据选通（DQS/DQS）， DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。 数据完整性：通过DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）， 具备自动刷新和自刷新模式， 有节能模式和掉电模式。 信号完整性：可配置DS以实现系统兼容性， 可配置片上终端， 通过外部ZQ焊盘（240欧姆±1%）进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度， 具备信号同步， 通过MR设置进行写电平校准， 通过MPR进行读电平校准。