NT5CC128M16JR-EKI

采用双倍数据速率架构实现高速运行， 内部配置为八个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。 2Gb芯片组织形式为32Mbit x 8 I/O x 8存储体或16Mbit x 16 I/O x 8存储体设备。 这些同步设备在一般应用中可实现高达1866 Mb/sec/pin的高速双倍数据速率传输。 芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM特性， 所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步， 输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿）锁存。