NT5CB256M16ER-FL
IC
TFBGA-96
可供量大可议
NT5CB256M16ER-FL
特性：基础DDR3兼容。 8n预取架构-差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)-DQ、DQS和DM上的双倍数据速率。 数据完整性:通过DRAM内置TS实现自动自刷新(ASR)。 自动刷新和自刷新模式。 节能模式-掉电模式。 信号完整性:可配置的驱动强度(DS)以实现系统兼容性
品牌
Nanya
封装
TFBGA-96
库存
167
货期
现货
NT5CB256M16ER-FL参数
| 封装 | TFBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | Nanya(南亚科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 167 |
NT5CB256M16ER-FL概述
特性：基础DDR3兼容。 8n预取架构-差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)-DQ、DQS和DM上的双倍数据速率。 数据完整性:通过DRAM内置TS实现自动自刷新(ASR)。 自动刷新和自刷新模式。 节能模式-掉电模式。 信号完整性:可配置的驱动强度(DS)以实现系统兼容性
NT5CB256M16ER-FL特性
暂无产品特性。
NT5CB256M16ER-FL应用领域
暂无应用领域。