NT5CB128M16JR-FL
IC
TFBGA-96
可供量大可议
NT5CB128M16JR-FL
2Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）采用双倍数据速率架构， 以实现高速运行。 其内部配置为 8 个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。 这款 2Gb 芯片的组织形式为 32Mbit × 8 个输入/输出（I/O）× 8 个存储体， 或 16Mbit × 16 个输入/输出 × 8 个存储体
品牌
Nanya
封装
TFBGA-96
库存
196
货期
现货
NT5CB128M16JR-FL参数
| 封装 | TFBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | Nanya(南亚科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 196 |
NT5CB128M16JR-FL概述
2Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）采用双倍数据速率架构， 以实现高速运行。 其内部配置为 8 个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。 这款 2Gb 芯片的组织形式为 32Mbit × 8 个输入/输出（I/O）× 8 个存储体， 或 16Mbit × 16 个输入/输出 × 8 个存储体
NT5CB128M16JR-FL特性
暂无产品特性。
NT5CB128M16JR-FL应用领域
暂无应用领域。