NT5AD512M16C4-JRI
IC
TFBGA-96
可供量大可议
NT5AD512M16C4-JRI
特性：基于DDR4标准。 8n预取架构。 差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)。 DQS、DQS和DM上的双倍数据速率-DRAM访问带宽。 按存储体组分开的I/O门控结构。 自刷新中止
品牌
Nanya
封装
TFBGA-96
库存
1
货期
现货
NT5AD512M16C4-JRI参数
| 封装 | TFBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | Nanya(南亚科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NT5AD512M16C4-JRI概述
特性：基于DDR4标准。 8n预取架构。 差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)。 DQS、DQS和DM上的双倍数据速率-DRAM访问带宽。 按存储体组分开的I/O门控结构。 自刷新中止
NT5AD512M16C4-JRI特性
暂无产品特性。
NT5AD512M16C4-JRI应用领域
暂无应用领域。