NT5AD256M16E4-JRI
IC
TFBGA-96
可供量大可议
NT5AD256M16E4-JRI
特性：数据完整性。 由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。 自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。 按存储体组分离的IO门控结构。 自刷新中止。 精细粒度刷新-信号同步
品牌
NANYA
封装
TFBGA-96
库存
0
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现货
NT5AD256M16E4-JRI参数
| 封装 | TFBGA-96 |
|---|---|
| 品牌 | NANYA(南亚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz |
| 工作电压 | 1.2V |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 0 |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM |
| 存储容量 | 4Gbit |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
NT5AD256M16E4-JRI概述
特性：数据完整性。 由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。 自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。 按存储体组分离的IO门控结构。 自刷新中止。 精细粒度刷新-信号同步
NT5AD256M16E4-JRI特性
暂无产品特性。
NT5AD256M16E4-JRI应用领域
暂无应用领域。