NT5AD256M16E4-JR
IC
Ball-96
可供量大可议
NT5AD256M16E4-JR
特性：数据完整性。 由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。 自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。 按存储体组分开的IO门控结构。 自刷新中止。 精细粒度刷新-信号同步
品牌
Nanya
封装
Ball-96
库存
33
货期
现货
NT5AD256M16E4-JR参数
| 封装 | Ball-96 |
|---|---|
| 品牌 | Nanya(南亚科技) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | DDR SDRAM |
|---|---|
| 库存 | 33 |
NT5AD256M16E4-JR概述
特性：数据完整性。 由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。 自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。 按存储体组分开的IO门控结构。 自刷新中止。 精细粒度刷新-信号同步
NT5AD256M16E4-JR特性
暂无产品特性。
NT5AD256M16E4-JR应用领域
暂无应用领域。