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NSVRB521S30T5G-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

NSVRB521S30T5G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定平均正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)典型值为0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为30μA, 在低功耗应用中表现稳定。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达1A, 适用于电源整流、高频开关电路、信号钳位及便携式电子设备中的能量管理等场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

45

货期

现货

NSVRB521S30T5G-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存45

NSVRB521S30T5G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定平均正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)典型值为0.5V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为30μA, 在低功耗应用中表现稳定。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达1A, 适用于电源整流、高频开关电路、信号钳位及便携式电子设备中的能量管理等场合。

NSVRB521S30T5G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVRB521S30T5G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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