NSVR1020MW2T1G-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
NSVR1020MW2T1G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为20V。 其正向压降(VF)为0.45V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在低电压应用中表现稳定。 器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态电流有一定要求的电路。 典型应用场景包括低压电源整流、高频开关电路及便携式电子设备中的能量管理模块。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOD-323
Stock
475
货期
现货
NSVR1020MW2T1G-HXYParameters
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 475 |
NSVR1020MW2T1G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为20V。 其正向压降(VF)为0.45V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在低电压应用中表现稳定。 器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态电流有一定要求的电路。 典型应用场景包括低压电源整流、高频开关电路及便携式电子设备中的能量管理模块。
NSVR1020MW2T1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVR1020MW2T1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
