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NSVR1020MW2T1G-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

NSVR1020MW2T1G-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为20V。 其正向压降(VF)为0.45V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在低电压应用中表现稳定。 器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态电流有一定要求的电路。 典型应用场景包括低压电源整流、高频开关电路及便携式电子设备中的能量管理模块。

Brand

HXY MOSFET

Package

SOD-323

Stock

475

货期

现货

NSVR1020MW2T1G-HXYParameters

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存475

NSVR1020MW2T1G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为20V。 其正向压降(VF)为0.45V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在低电压应用中表现稳定。 器件可承受高达25A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态电流有一定要求的电路。 典型应用场景包括低压电源整流、高频开关电路及便携式电子设备中的能量管理模块。

NSVR1020MW2T1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVR1020MW2T1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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