NSVMUN5331DW1T1G
自营可供
IC
SOT-363
NSVMUN5331DW1T1G
NSVMUN5331DW1T1G
品牌
onsemi
封装
SOT-363
交期
现货
批次
—
NSVMUN5331DW1T1G参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 直流电流增益(hFE) | 8 |
| 电阻比率 | 1.2 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA, 5mA |
| 商品名称 | NSVMUN5331DW1T1G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 数字晶体管 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 625 |
| 数量 | 1个NPN-预偏置, 1个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 输入电阻 | 2.9kΩ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 商品型号 | NSVMUN5331DW1T1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000494 |
NSVMUN5331DW1T1G概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管， 即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。 BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中， 从而省去了这些组件。 使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。
NSVMUN5331DW1T1G特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 且符合RoHS标准