NSVMUN5111DW1T3G
IC
SOT-363
可供量大可议
NSVMUN5111DW1T3G
该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。 该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。 该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中, 因此不再需要这些单独组件。 采用 BRT 既可以降低系统成本, 又可以节省板空间。
品牌
onsemi
封装
SOT-363
库存
9,575
货期
现货
NSVMUN5111DW1T3G参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 9575 |
NSVMUN5111DW1T3G概述
该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。 该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。 该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中, 因此不再需要这些单独组件。 采用 BRT 既可以降低系统成本, 又可以节省板空间。
NSVMUN5111DW1T3G特性
暂无产品特性。
NSVMUN5111DW1T3G应用领域
暂无应用领域。
