NSVMMUN2135LT1G
IC
SOT-23-3
可供量大可议
NSVMMUN2135LT1G
NSVMMUN2135LT1G
品牌
onsemi
封装
SOT-23-3
库存
1,000
货期
现货
NSVMMUN2135LT1G参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA, 5V |
| 电阻比率 | 0.047 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 商品型号 | NSVMMUN2135LT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2.03e-05 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.1V@5mA, 0.3V |
| 输入电阻 | 2.2kΩ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 商品名称 | NSVMMUN2135LT1G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 数字晶体管 |
NSVMMUN2135LT1G概述
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管； 一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。 BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中， 从而省去了它们。 使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。
NSVMMUN2135LT1G特性
- 简化电路设计
- 节省电路板空间
- 减少元件数量
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的S和NSV前缀
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）， 并符合RoHS标准
NSVMMUN2135LT1G应用领域
暂无应用领域。