NSVMMBT589LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NSVMMBT589LT1G-HXY
此款PNP型三极管(BJT)适用于多种电路设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 支持最高30V的集电极-发射极电压(VCEO), 非常适合用于信号放大和开关应用。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了稳定的性能和高效能转换。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到100MHz, 确保在高频工作环境下依然保持优秀的响应速度和稳定性, 是构建复杂电路的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
80
货期
现货
NSVMMBT589LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
NSVMMBT589LT1G-HXY概述
此款PNP型三极管(BJT)适用于多种电路设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 支持最高30V的集电极-发射极电压(VCEO), 非常适合用于信号放大和开关应用。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了稳定的性能和高效能转换。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到100MHz, 确保在高频工作环境下依然保持优秀的响应速度和稳定性, 是构建复杂电路的理想选择。
NSVMMBT589LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVMMBT589LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
