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NSVMMBT589LT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NSVMMBT589LT1G-HXY

此款PNP型三极管(BJT)适用于多种电路设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 支持最高30V的集电极-发射极电压(VCEO), 非常适合用于信号放大和开关应用。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了稳定的性能和高效能转换。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到100MHz, 确保在高频工作环境下依然保持优秀的响应速度和稳定性, 是构建复杂电路的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

80

货期

现货

NSVMMBT589LT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存80

NSVMMBT589LT1G-HXY概述

此款PNP型三极管(BJT)适用于多种电路设计, 具备1A的集电极电流(IC)能力, 支持最高30V的集电极-发射极电压(VCEO), 非常适合用于信号放大和开关应用。 其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间, 保证了稳定的性能和高效能转换。 此外, 该三极管的过渡频率(FT)达到100MHz, 确保在高频工作环境下依然保持优秀的响应速度和稳定性, 是构建复杂电路的理想选择。

NSVMMBT589LT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVMMBT589LT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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