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NSVMMBT589LT1G
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IC

SOT-23

NSVMMBT589LT1G

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。 这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

品牌

onsemi

封装

SOT-23

交期

现货

批次

—

NSVMMBT589LT1G参数

封装SOT-23
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)1A
耗散功率(Pd)310mW
集电极截止电流(Icbo)100nA
商品名称NSVMMBT589LT1G
包装方式编带
商品类型三极管(BJT)
分类三极管(BJT)
库存176
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)30V
直流电流增益(hFE)100
工作温度-55℃~+150℃
商品型号NSVMMBT589LT1G
单位个
商品重量4.4318e-05

NSVMMBT589LT1G概述

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。 这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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