NSVMMBT5401WT1G-HXY
IC
SOT-323
可供量大可议
NSVMMBT5401WT1G-HXY
此款PNP型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC), 能满足多数功率需求。 其集电极-发射极间最大电压(VCEO)为150V, 适用于高电压应用场景。 直流电流增益(HFE)在100至300之间, 保证了信号放大稳定有效。 特征频率(FT)达到100MHz, 表明它在高频应用中表现出色。 该三极管设计用于需要精确信号放大和高速开关操作的电路中, 如消费电子设备内部电路, 是实现高效能、低噪声运作的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-323
库存
50
货期
现货
NSVMMBT5401WT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
NSVMMBT5401WT1G-HXY概述
此款PNP型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC), 能满足多数功率需求。 其集电极-发射极间最大电压(VCEO)为150V, 适用于高电压应用场景。 直流电流增益(HFE)在100至300之间, 保证了信号放大稳定有效。 特征频率(FT)达到100MHz, 表明它在高频应用中表现出色。 该三极管设计用于需要精确信号放大和高速开关操作的电路中, 如消费电子设备内部电路, 是实现高效能、低噪声运作的理想选择。
NSVMMBT5401WT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVMMBT5401WT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
