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NSVMMBT5401WT1G-HXY
IC

SOT-323

可供量大可议

NSVMMBT5401WT1G-HXY

此款PNP型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC), 能满足多数功率需求。 其集电极-发射极间最大电压(VCEO)为150V, 适用于高电压应用场景。 直流电流增益(HFE)在100至300之间, 保证了信号放大稳定有效。 特征频率(FT)达到100MHz, 表明它在高频应用中表现出色。 该三极管设计用于需要精确信号放大和高速开关操作的电路中, 如消费电子设备内部电路, 是实现高效能、低噪声运作的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

50

货期

现货

NSVMMBT5401WT1G-HXY参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存50

NSVMMBT5401WT1G-HXY概述

此款PNP型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC), 能满足多数功率需求。 其集电极-发射极间最大电压(VCEO)为150V, 适用于高电压应用场景。 直流电流增益(HFE)在100至300之间, 保证了信号放大稳定有效。 特征频率(FT)达到100MHz, 表明它在高频应用中表现出色。 该三极管设计用于需要精确信号放大和高速开关操作的电路中, 如消费电子设备内部电路, 是实现高效能、低噪声运作的理想选择。

NSVMMBT5401WT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVMMBT5401WT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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