NSVMMBT5401LT3G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NSVMMBT5401LT3G-HXY
这款PNP型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流(IC)和高达150V的集电极-发射极击穿电压(VCEO), 非常适合需要高电压处理能力的应用。 其直流电流增益(HFE)范围为100至200, 确保了信号放大的稳定性和效率。 过渡频率(FT)达到100MHz, 使得它在中高频段应用中表现出色。 该三极管适用于无线通信设备、电源管理模块以及各类消费电子产品中的信号放大与开关电路, 保证了在多种电子设计中的灵活性和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
60
货期
现货
NSVMMBT5401LT3G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
NSVMMBT5401LT3G-HXY概述
这款PNP型三极管(BJT)具有0.6A的集电极电流(IC)和高达150V的集电极-发射极击穿电压(VCEO), 非常适合需要高电压处理能力的应用。 其直流电流增益(HFE)范围为100至200, 确保了信号放大的稳定性和效率。 过渡频率(FT)达到100MHz, 使得它在中高频段应用中表现出色。 该三极管适用于无线通信设备、电源管理模块以及各类消费电子产品中的信号放大与开关电路, 保证了在多种电子设计中的灵活性和可靠性。
NSVMMBT5401LT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVMMBT5401LT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
