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NSVMMBT5088LT3G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NSVMMBT5088LT3G-HXY

此款NPN型三极管(BJT)专为精确与高效能应用设计, 具备集电极-发射极电压VCEO高达45V, 适合广泛的应用场景。 其集电极电流IC可达0.1A, 确保了在各种工作条件下的稳定性与可靠性。 该三极管的直流电流增益HFE范围在420至800之间, 显示出卓越的放大能力。 同时, 其过渡频率FT为100MHz, 表明它在高频应用中也能表现出色。 这些特性使它成为需要高灵敏度和快速响应电子设备中的理想组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

210

货期

现货

NSVMMBT5088LT3G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存210

NSVMMBT5088LT3G-HXY概述

此款NPN型三极管(BJT)专为精确与高效能应用设计, 具备集电极-发射极电压VCEO高达45V, 适合广泛的应用场景。 其集电极电流IC可达0.1A, 确保了在各种工作条件下的稳定性与可靠性。 该三极管的直流电流增益HFE范围在420至800之间, 显示出卓越的放大能力。 同时, 其过渡频率FT为100MHz, 表明它在高频应用中也能表现出色。 这些特性使它成为需要高灵敏度和快速响应电子设备中的理想组件。

NSVMMBT5088LT3G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVMMBT5088LT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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