NSVMMBT5088LT3G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NSVMMBT5088LT3G-HXY
此款NPN型三极管(BJT)专为精确与高效能应用设计, 具备集电极-发射极电压VCEO高达45V, 适合广泛的应用场景。 其集电极电流IC可达0.1A, 确保了在各种工作条件下的稳定性与可靠性。 该三极管的直流电流增益HFE范围在420至800之间, 显示出卓越的放大能力。 同时, 其过渡频率FT为100MHz, 表明它在高频应用中也能表现出色。 这些特性使它成为需要高灵敏度和快速响应电子设备中的理想组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
210
货期
现货
NSVMMBT5088LT3G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 210 |
NSVMMBT5088LT3G-HXY概述
此款NPN型三极管(BJT)专为精确与高效能应用设计, 具备集电极-发射极电压VCEO高达45V, 适合广泛的应用场景。 其集电极电流IC可达0.1A, 确保了在各种工作条件下的稳定性与可靠性。 该三极管的直流电流增益HFE范围在420至800之间, 显示出卓越的放大能力。 同时, 其过渡频率FT为100MHz, 表明它在高频应用中也能表现出色。 这些特性使它成为需要高灵敏度和快速响应电子设备中的理想组件。
NSVMMBT5088LT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVMMBT5088LT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
