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NSVBCW68GLT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NSVBCW68GLT1G-HXY

这款PNP型三极管(BJT)具备1A的集电极电流IC和60V的集电极-发射极电压VCEO, 适用于需要中等功率处理能力的应用场景。 其直流电流增益HFE范围为100至300, 确保了有效的信号放大功能。 过渡频率FT达到150MHz, 表明它在保持良好高频响应的同时, 还能提供稳定的性能。 该三极管非常适合用于构建可靠的电源管理电路及信号放大解决方案, 如家用电子设备与智能装置中, 有助于提升整体系统的稳定性和效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

110

货期

现货

NSVBCW68GLT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存110

NSVBCW68GLT1G-HXY概述

这款PNP型三极管(BJT)具备1A的集电极电流IC和60V的集电极-发射极电压VCEO, 适用于需要中等功率处理能力的应用场景。 其直流电流增益HFE范围为100至300, 确保了有效的信号放大功能。 过渡频率FT达到150MHz, 表明它在保持良好高频响应的同时, 还能提供稳定的性能。 该三极管非常适合用于构建可靠的电源管理电路及信号放大解决方案, 如家用电子设备与智能装置中, 有助于提升整体系统的稳定性和效率。

NSVBCW68GLT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVBCW68GLT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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