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NSVBCH817-40LT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NSVBCH817-40LT1G-HXY

这款NPN型三极管(BJT)具备0.5A的集电极电流(IC)能力, 集电极-发射极间能承受的最大电压(VCEO)为45V, 适用于多种电子设备的电路设计。 其直流电流增益(HFE)在250到600之间, 确保了信号放大的高效与稳定性能。 过渡频率(FT)达到100MHz, 使得它在处理高频信号时表现出色, 能够满足快速响应和精确控制的需求。 此三极管非常适合用于构建各种需要中等电流驱动、高增益以及良好高频特性的放大器或开关电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

60

货期

现货

NSVBCH817-40LT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存60

NSVBCH817-40LT1G-HXY概述

这款NPN型三极管(BJT)具备0.5A的集电极电流(IC)能力, 集电极-发射极间能承受的最大电压(VCEO)为45V, 适用于多种电子设备的电路设计。 其直流电流增益(HFE)在250到600之间, 确保了信号放大的高效与稳定性能。 过渡频率(FT)达到100MHz, 使得它在处理高频信号时表现出色, 能够满足快速响应和精确控制的需求。 此三极管非常适合用于构建各种需要中等电流驱动、高增益以及良好高频特性的放大器或开关电路。

NSVBCH817-40LT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVBCH817-40LT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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