NSVBCH817-40LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NSVBCH817-40LT1G-HXY
这款NPN型三极管(BJT)具备0.5A的集电极电流(IC)能力, 集电极-发射极间能承受的最大电压(VCEO)为45V, 适用于多种电子设备的电路设计。 其直流电流增益(HFE)在250到600之间, 确保了信号放大的高效与稳定性能。 过渡频率(FT)达到100MHz, 使得它在处理高频信号时表现出色, 能够满足快速响应和精确控制的需求。 此三极管非常适合用于构建各种需要中等电流驱动、高增益以及良好高频特性的放大器或开关电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
60
货期
现货
NSVBCH817-40LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
NSVBCH817-40LT1G-HXY概述
这款NPN型三极管(BJT)具备0.5A的集电极电流(IC)能力, 集电极-发射极间能承受的最大电压(VCEO)为45V, 适用于多种电子设备的电路设计。 其直流电流增益(HFE)在250到600之间, 确保了信号放大的高效与稳定性能。 过渡频率(FT)达到100MHz, 使得它在处理高频信号时表现出色, 能够满足快速响应和精确控制的需求。 此三极管非常适合用于构建各种需要中等电流驱动、高增益以及良好高频特性的放大器或开关电路。
NSVBCH817-40LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVBCH817-40LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
