NSVBCH807-25LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NSVBCH807-25LT1G-HXY
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备集电极电流IC达0.5A, 集电极-发射极电压VCEO高达45V, 确保在各种操作环境下稳定工作。 其直流电流增益HFE范围为160至400, 特别适合需要精确信号放大和处理的场景。 此外, 该三极管的过渡频率FT达到100MHz, 保证了高速响应和高频率操作性能, 适用于如通信设备、消费电子等对信号处理有高度要求的领域。 其卓越的参数配置使其成为构建复杂电路的理想选择, 满足从基础到高级的多样化需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
10
货期
现货
NSVBCH807-25LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
NSVBCH807-25LT1G-HXY概述
此款PNP型三极管(BJT)专为高效能应用设计, 具备集电极电流IC达0.5A, 集电极-发射极电压VCEO高达45V, 确保在各种操作环境下稳定工作。 其直流电流增益HFE范围为160至400, 特别适合需要精确信号放大和处理的场景。 此外, 该三极管的过渡频率FT达到100MHz, 保证了高速响应和高频率操作性能, 适用于如通信设备、消费电子等对信号处理有高度要求的领域。 其卓越的参数配置使其成为构建复杂电路的理想选择, 满足从基础到高级的多样化需求。
NSVBCH807-25LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVBCH807-25LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
