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NSVBC857BTT1G-HXY
IC

SOT-523

可供量大可议

NSVBC857BTT1G-HXY

这款PNP型三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流(IC), 能够在多种电子电路中发挥稳定性能。 其最大集电极-发射极电压(VCEO)为45V, 适用于需要较高耐压的应用环境。 直流电流增益(HFE)在220至475之间, 提供了良好的放大性能和设计灵活性。 过渡频率(FT)达到100MHz, 确保了它在高频应用中的高效表现。 该三极管的特性使其非常适合于构建复杂的信号处理及电源管理电路, 是实现精准控制与放大功能的重要组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-523

库存

190

货期

现货

NSVBC857BTT1G-HXY参数

封装SOT-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存190

NSVBC857BTT1G-HXY概述

这款PNP型三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流(IC), 能够在多种电子电路中发挥稳定性能。 其最大集电极-发射极电压(VCEO)为45V, 适用于需要较高耐压的应用环境。 直流电流增益(HFE)在220至475之间, 提供了良好的放大性能和设计灵活性。 过渡频率(FT)达到100MHz, 确保了它在高频应用中的高效表现。 该三极管的特性使其非常适合于构建复杂的信号处理及电源管理电路, 是实现精准控制与放大功能的重要组件。

NSVBC857BTT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVBC857BTT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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