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NSVBC857BLT3G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NSVBC857BLT3G-HXY

这款PNP三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流IC, 适用于低功率应用场景。 其集电极-发射极电压VCEO为45V, 能够提供适当的反向电压保护能力。 直流电流增益HFE范围在200至450之间, 表明它具有优秀的放大性能, 特别适合信号增强应用。 过渡频率FT达到100MHz, 确保了在中频段内的稳定工作性能。 此三极管非常适合应用于便携式电子设备、智能家居装置及消费电子产品中, 用于精确信号放大和处理任务, 满足对高性能元件的需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

3,000

货期

现货

NSVBC857BLT3G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存3000

NSVBC857BLT3G-HXY概述

这款PNP三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流IC, 适用于低功率应用场景。 其集电极-发射极电压VCEO为45V, 能够提供适当的反向电压保护能力。 直流电流增益HFE范围在200至450之间, 表明它具有优秀的放大性能, 特别适合信号增强应用。 过渡频率FT达到100MHz, 确保了在中频段内的稳定工作性能。 此三极管非常适合应用于便携式电子设备、智能家居装置及消费电子产品中, 用于精确信号放大和处理任务, 满足对高性能元件的需求。

NSVBC857BLT3G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVBC857BLT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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