NSVBC857BLT3G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NSVBC857BLT3G-HXY
这款PNP三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流IC, 适用于低功率应用场景。 其集电极-发射极电压VCEO为45V, 能够提供适当的反向电压保护能力。 直流电流增益HFE范围在200至450之间, 表明它具有优秀的放大性能, 特别适合信号增强应用。 过渡频率FT达到100MHz, 确保了在中频段内的稳定工作性能。 此三极管非常适合应用于便携式电子设备、智能家居装置及消费电子产品中, 用于精确信号放大和处理任务, 满足对高性能元件的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
3,000
货期
现货
NSVBC857BLT3G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
NSVBC857BLT3G-HXY概述
这款PNP三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流IC, 适用于低功率应用场景。 其集电极-发射极电压VCEO为45V, 能够提供适当的反向电压保护能力。 直流电流增益HFE范围在200至450之间, 表明它具有优秀的放大性能, 特别适合信号增强应用。 过渡频率FT达到100MHz, 确保了在中频段内的稳定工作性能。 此三极管非常适合应用于便携式电子设备、智能家居装置及消费电子产品中, 用于精确信号放大和处理任务, 满足对高性能元件的需求。
NSVBC857BLT3G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVBC857BLT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
