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NSVBC850CLT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NSVBC850CLT1G-HXY

这款NPN三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流IC, 适用于需要中小电流驱动的电路设计。 其集电极-发射极电压VCEO为45V, 确保了在多种电源条件下的稳定工作。 直流电流增益HFE范围从42/XMLSchemaFormat错误, 正确的描述应避免提及XML或其他不相关格式, 修正后的回答如下 这款NPN三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流IC, 适合用于中小电流需求的电子电路中。 提供高达45V的集电极-发射极电压VCEO, 保障了在不同供电环境下的可靠性。 该型号的直流电流增益HFE在420至800之间, 表现出优秀的放大能力, 而特征频率FT达到100MHz, 使其同样适用于高频信号处理。 适用于无线通信设备、音频放大及精密信号调理等应用场景, 满足对高精度和稳定性有需求的设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

60

货期

现货

NSVBC850CLT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存60

NSVBC850CLT1G-HXY概述

这款NPN三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流IC, 适用于需要中小电流驱动的电路设计。 其集电极-发射极电压VCEO为45V, 确保了在多种电源条件下的稳定工作。 直流电流增益HFE范围从42/XMLSchemaFormat错误, 正确的描述应避免提及XML或其他不相关格式, 修正后的回答如下 这款NPN三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流IC, 适合用于中小电流需求的电子电路中。 提供高达45V的集电极-发射极电压VCEO, 保障了在不同供电环境下的可靠性。 该型号的直流电流增益HFE在420至800之间, 表现出优秀的放大能力, 而特征频率FT达到100MHz, 使其同样适用于高频信号处理。 适用于无线通信设备、音频放大及精密信号调理等应用场景, 满足对高精度和稳定性有需求的设计。

NSVBC850CLT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVBC850CLT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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