SOT-23
NSVBC850CLT1G-HXY
这款NPN三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流IC, 适用于需要中小电流驱动的电路设计。 其集电极-发射极电压VCEO为45V, 确保了在多种电源条件下的稳定工作。 直流电流增益HFE范围从42/XMLSchemaFormat错误, 正确的描述应避免提及XML或其他不相关格式, 修正后的回答如下 这款NPN三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流IC, 适合用于中小电流需求的电子电路中。 提供高达45V的集电极-发射极电压VCEO, 保障了在不同供电环境下的可靠性。 该型号的直流电流增益HFE在420至800之间, 表现出优秀的放大能力, 而特征频率FT达到100MHz, 使其同样适用于高频信号处理。 适用于无线通信设备、音频放大及精密信号调理等应用场景, 满足对高精度和稳定性有需求的设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
60
货期
现货
NSVBC850CLT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
NSVBC850CLT1G-HXY概述
这款NPN三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流IC, 适用于需要中小电流驱动的电路设计。 其集电极-发射极电压VCEO为45V, 确保了在多种电源条件下的稳定工作。 直流电流增益HFE范围从42/XMLSchemaFormat错误, 正确的描述应避免提及XML或其他不相关格式, 修正后的回答如下 这款NPN三极管(BJT)具有0.1A的集电极电流IC, 适合用于中小电流需求的电子电路中。 提供高达45V的集电极-发射极电压VCEO, 保障了在不同供电环境下的可靠性。 该型号的直流电流增益HFE在420至800之间, 表现出优秀的放大能力, 而特征频率FT达到100MHz, 使其同样适用于高频信号处理。 适用于无线通信设备、音频放大及精密信号调理等应用场景, 满足对高精度和稳定性有需求的设计。
NSVBC850CLT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVBC850CLT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
