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NSVBC847BTT1G-HXY
IC

SOT-523

可供量大可议

NSVBC847BTT1G-HXY

此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备集电极-发射极电压VCEO高达45V, 适合于广泛的应用场景。 其集电极电流IC为0.1A, 足以支持信号放大与切换功能。 该型号的直流电流增益HFE在200至450之间, 确保了稳定而高效的性能表现。 此外, 它拥有100MHz的过渡频率FT, 使其在高频应用中同样表现出色。 这些特性使这款三极管成为需要精确信号处理和快速响应电子设备的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-523

库存

210

货期

现货

NSVBC847BTT1G-HXY参数

封装SOT-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存210

NSVBC847BTT1G-HXY概述

此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备集电极-发射极电压VCEO高达45V, 适合于广泛的应用场景。 其集电极电流IC为0.1A, 足以支持信号放大与切换功能。 该型号的直流电流增益HFE在200至450之间, 确保了稳定而高效的性能表现。 此外, 它拥有100MHz的过渡频率FT, 使其在高频应用中同样表现出色。 这些特性使这款三极管成为需要精确信号处理和快速响应电子设备的理想选择。

NSVBC847BTT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVBC847BTT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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