NSVBC847BTT1G-HXY
IC
SOT-523
可供量大可议
NSVBC847BTT1G-HXY
此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备集电极-发射极电压VCEO高达45V, 适合于广泛的应用场景。 其集电极电流IC为0.1A, 足以支持信号放大与切换功能。 该型号的直流电流增益HFE在200至450之间, 确保了稳定而高效的性能表现。 此外, 它拥有100MHz的过渡频率FT, 使其在高频应用中同样表现出色。 这些特性使这款三极管成为需要精确信号处理和快速响应电子设备的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-523
库存
210
货期
现货
NSVBC847BTT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 210 |
NSVBC847BTT1G-HXY概述
此款NPN三极管(BJT)专为高效能电路设计, 具备集电极-发射极电压VCEO高达45V, 适合于广泛的应用场景。 其集电极电流IC为0.1A, 足以支持信号放大与切换功能。 该型号的直流电流增益HFE在200至450之间, 确保了稳定而高效的性能表现。 此外, 它拥有100MHz的过渡频率FT, 使其在高频应用中同样表现出色。 这些特性使这款三极管成为需要精确信号处理和快速响应电子设备的理想选择。
NSVBC847BTT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVBC847BTT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
