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NSVBC818-40LT1G-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NSVBC818-40LT1G-HXY

这款NPN型三极管(BJT)具有0.5A的集电极电流(IC)和45V的集电极-发射极电压(VCEO), 非常适合用于需要中等电流和较高耐压值的电路设计。 其直流电流增益(HFE)范围为250至600, 确保了信号放大的高效率与稳定性。 该三极管的过渡频率(FT)为100MHz, 表现出优秀的高频操作能力, 能够满足快速响应及精确控制的要求。 适用于构建多种电子设备中的放大器与开关电路, 特别适合对信号放大精度和速度有较高要求的应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

250

货期

现货

NSVBC818-40LT1G-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存250

NSVBC818-40LT1G-HXY概述

这款NPN型三极管(BJT)具有0.5A的集电极电流(IC)和45V的集电极-发射极电压(VCEO), 非常适合用于需要中等电流和较高耐压值的电路设计。 其直流电流增益(HFE)范围为250至600, 确保了信号放大的高效率与稳定性。 该三极管的过渡频率(FT)为100MHz, 表现出优秀的高频操作能力, 能够满足快速响应及精确控制的要求。 适用于构建多种电子设备中的放大器与开关电路, 特别适合对信号放大精度和速度有较高要求的应用场景。

NSVBC818-40LT1G-HXY特性

暂无产品特性。

NSVBC818-40LT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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