NSVBC818-40LT1G-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NSVBC818-40LT1G-HXY
这款NPN型三极管(BJT)具有0.5A的集电极电流(IC)和45V的集电极-发射极电压(VCEO), 非常适合用于需要中等电流和较高耐压值的电路设计。 其直流电流增益(HFE)范围为250至600, 确保了信号放大的高效率与稳定性。 该三极管的过渡频率(FT)为100MHz, 表现出优秀的高频操作能力, 能够满足快速响应及精确控制的要求。 适用于构建多种电子设备中的放大器与开关电路, 特别适合对信号放大精度和速度有较高要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
250
货期
现货
NSVBC818-40LT1G-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 250 |
NSVBC818-40LT1G-HXY概述
这款NPN型三极管(BJT)具有0.5A的集电极电流(IC)和45V的集电极-发射极电压(VCEO), 非常适合用于需要中等电流和较高耐压值的电路设计。 其直流电流增益(HFE)范围为250至600, 确保了信号放大的高效率与稳定性。 该三极管的过渡频率(FT)为100MHz, 表现出优秀的高频操作能力, 能够满足快速响应及精确控制的要求。 适用于构建多种电子设备中的放大器与开关电路, 特别适合对信号放大精度和速度有较高要求的应用场景。
NSVBC818-40LT1G-HXY特性
暂无产品特性。
NSVBC818-40LT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
