NSVBAT54HT1G-HXY

该肖特基二极管为独立式结构， 正向电流（IF）为0.2A， 反向重复峰值电压（VR）为30V。 其正向压降（VF）典型值为0.8V， 有助于减少导通状态下的功耗； 在30V反向电压下， 漏电流（IR）为2μA。 器件的正向浪涌电流（IFSM）能力达0.6A， 适用于低电压电源整流、高频信号检波、极性保护及箝位电路等应用， 具备较快的开关响应特性。