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NST06B65RBD
IC

TO-263

可供量大可议

NST06B65RBD

NST06B65RBD 是一款 650V 第七代场截止高速沟槽 IGBT 器件, 采用高密度沟槽栅工艺与 Gen7 场截止技术, 拥有极低饱和压降、高速开关特性, 饱和压降具备正温度系数, 器件参数一致性高、高温工况稳定、并联扩容便捷, 适配 12~20V 常规栅极驱动区间, TO-263 贴片封装结构散热良好, 鲁棒性强, 多用于白色家电变频电路、各类逆变器、BLDC 电机驱动、LLC 谐振电源等中高频功率场景。

品牌

WXNSIC

封装

TO-263

库存

1,545

货期

现货

NST06B65RBD参数

封装TO-263
品牌WXNSIC(国硅集成)
MOQ / SPQ1 / 5
分类IGBT管/模块
库存1545

NST06B65RBD概述

NST06B65RBD 是一款 650V 第七代场截止高速沟槽 IGBT 器件, 采用高密度沟槽栅工艺与 Gen7 场截止技术, 拥有极低饱和压降、高速开关特性, 饱和压降具备正温度系数, 器件参数一致性高、高温工况稳定、并联扩容便捷, 适配 12~20V 常规栅极驱动区间, TO-263 贴片封装结构散热良好, 鲁棒性强, 多用于白色家电变频电路、各类逆变器、BLDC 电机驱动、LLC 谐振电源等中高频功率场景。

NST06B65RBD特性

暂无产品特性。

NST06B65RBD应用领域

暂无应用领域。

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