NST06B65RBD
IC
TO-263
可供量大可议
NST06B65RBD
NST06B65RBD 是一款 650V 第七代场截止高速沟槽 IGBT 器件, 采用高密度沟槽栅工艺与 Gen7 场截止技术, 拥有极低饱和压降、高速开关特性, 饱和压降具备正温度系数, 器件参数一致性高、高温工况稳定、并联扩容便捷, 适配 12~20V 常规栅极驱动区间, TO-263 贴片封装结构散热良好, 鲁棒性强, 多用于白色家电变频电路、各类逆变器、BLDC 电机驱动、LLC 谐振电源等中高频功率场景。
品牌
WXNSIC
封装
TO-263
库存
1,545
货期
现货
NST06B65RBD参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | WXNSIC(国硅集成) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 1545 |
NST06B65RBD概述
NST06B65RBD 是一款 650V 第七代场截止高速沟槽 IGBT 器件, 采用高密度沟槽栅工艺与 Gen7 场截止技术, 拥有极低饱和压降、高速开关特性, 饱和压降具备正温度系数, 器件参数一致性高、高温工况稳定、并联扩容便捷, 适配 12~20V 常规栅极驱动区间, TO-263 贴片封装结构散热良好, 鲁棒性强, 多用于白色家电变频电路、各类逆变器、BLDC 电机驱动、LLC 谐振电源等中高频功率场景。
NST06B65RBD特性
暂无产品特性。
NST06B65RBD应用领域
暂无应用领域。
