NSS60601MZ4T3G
IC
SOT-223
可供量大可议
NSS60601MZ4T3G
低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。
品牌
onsemi
封装
SOT-223
库存
200
货期
现货
NSS60601MZ4T3G参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 6A |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 1个NPN |
| 商品名称 | NSS60601MZ4T3G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 三极管(BJT) |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V |
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 85mV |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 配置 | 独立式 |
| 商品型号 | NSS60601MZ4T3G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000171 |
NSS60601MZ4T3G概述
低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。
NSS60601MZ4T3G特性
暂无产品特性。
NSS60601MZ4T3G应用领域
暂无应用领域。