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NSS60600MZ4T1G
IC

SOT-223

可供量大可议

NSS60600MZ4T1G

三极管(BJT) 800mW 60V 6A PNP

品牌

ON

封装

SOT-223

库存

15,061

货期

现货

NSS60600MZ4T1G参数

封装SOT-223
品牌ON(安森美)
批次26+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)60V
直流电流增益(hFE)360
集电极截止电流(Icbo)100nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP
分类三极管(BJT)
库存15,061
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)6A
耗散功率(Pd)2W
特征频率(fT)900kHz
集射极饱和电压(VCE(sat))350mV
射基极击穿电压(Vebo)6V

NSS60600MZ4T1G概述

三极管(BJT) 800mW 60V 6A PNP

NSS60600MZ4T1G特性

暂无产品特性。

NSS60600MZ4T1G应用领域

暂无应用领域。

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