NSS40302PDR2G
IC
SOIC-8
可供量大可议
NSS40302PDR2G
安森美半导体的 e2PowerEdge 系列低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的表面贴装器件。 此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。 典型应用有大容量存储产品(例如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制。 在汽车行业中, 它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。 高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动, 而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。
品牌
onsemi
封装
SOIC-8
库存
178
货期
现货
NSS40302PDR2G参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 178 |
NSS40302PDR2G概述
安森美半导体的 e2PowerEdge 系列低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的表面贴装器件。 此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。 典型应用有大容量存储产品(例如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制。 在汽车行业中, 它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。 高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动, 而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。
NSS40302PDR2G特性
暂无产品特性。
NSS40302PDR2G应用领域
暂无应用领域。
