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NSS40302PDR2G
IC

SOIC-8

可供量大可议

NSS40302PDR2G

安森美半导体的 e2PowerEdge 系列低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的表面贴装器件。 此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。 典型应用有大容量存储产品(例如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制。 在汽车行业中, 它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。 高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动, 而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

品牌

onsemi

封装

SOIC-8

库存

178

货期

现货

NSS40302PDR2G参数

封装SOIC-8
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类三极管(BJT)
库存178

NSS40302PDR2G概述

安森美半导体的 e2PowerEdge 系列低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的表面贴装器件。 此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。 典型应用有大容量存储产品(例如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制。 在汽车行业中, 它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。 高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动, 而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

NSS40302PDR2G特性

暂无产品特性。

NSS40302PDR2G应用领域

暂无应用领域。

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